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J-GLOBAL ID：200903024983425200

半導体装置の製造方法

Inventor： 武内 英樹
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096098
Publication number (International publication number)：1997260346
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】多結晶シリコン膜上に形成されたCVD酸化膜のパターンを実質的に削ることなく、多結晶シリコン膜表面の自然酸化膜を除去する。【解決手段】ゲート電極を形成すべくCVD酸化膜のマスク9が形成された多結晶シリコン膜6の表面を、水蒸気分圧0〜2000Pa、弗化水素分圧300〜1500Paの条件で処理し、自然酸化膜10を除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された多結晶シリコン膜の上にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、前記シリコン酸化膜を所定パターンに加工する第2の工程と、前記多結晶シリコン膜上に形成された自然酸化膜を蒸気弗酸を用いて除去する第3の工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/76

FI (3)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/76 S