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J-GLOBAL ID：200903024998605999

SOI基板におけるSOI膜厚均一化方法

Inventor： 大田 豊 ,  阿部 孝夫 ,  中野 正剛 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山下 亮一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138845
Publication number (International publication number)：1993335395
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 SOI膜厚が10μm以上のSOI基板においても、SOI膜厚のバラツキを基板全面に亘って±0.3μm以下に抑えることができるSOI基板におけるSOI膜厚均一化方法を提供すること。【構成】 SOI基板11面内を複数の区画W1,W2...Wnに分割し、フーリエ変換赤外分光計(FTIR)を用いて各区画W1,W2...WnのSOI膜厚をそれぞれ測定して膜厚マップを作成し、各区画W1,W2...WnのSOI膜厚が所定値となるためのエッチング代を前記膜厚マップに基づいて各区画W1,W2...Wn毎に計算し、所定の領域のみを選択的にエッチング可能なドライエッチング装置30をSOI基板11上で走査して各区画W1,W2...WnのSOI膜を所定のエッチング代だけエッチング処理することによって、SOI膜厚が所望の値及びバラツキ(±0.3μm)以下となるようにする。

Claim (excerpt)：

SOI基板面内を複数に区画し、フーリエ変換赤外分光計を用いて各区画のSOI膜厚をそれぞれ測定して膜厚マップを作成し、各区画のSOI膜厚が所定値となるためのエッチング代を前記膜厚マップに基づいて各区画毎に計算し、所定の領域のみを選択的にエッチング可能なドライエッチング装置をSOI基板上で走査して各区画のSOI膜を所定のエッチング代だけエッチング処理することを特徴とするSOI基板におけるSOI膜厚均一化方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/06 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-075337
  
• 特開昭58-138030
  
• 特開昭55-078203
  
• 特開昭61-111427