半導体発光素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安藤淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002342998
Publication number (International publication number)：2004179347
Application date： Nov. 26, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】電極のオーミック接触性と高反射率を維持しながら比較的容易に製造できる発光効率の向上した半導体発光素子を提供すること。【解決手段】支持基板1の一方の面にn型の半導体層2と、発光層3と、p型の半導体層4とを順次積層して備え、p型の半導体層4にp電極6を設けるとともに、n型の半導体層2と発光層3とp型の半導体層4の一部を除去して露出させたn型の半導体層2にn電極5を設けた半導体発光素子。p電極6及びn電極5は、それぞれp型の半導体層4及びn型の半導体層2のほぼ全面に接触して形成された酸化インジウム錫からなる透明層51,61と、その上に形成されて大きさを少なくとも透明層51,61と同等とし、銀、アルミニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの材料からなる反射層52,62とを積層してなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持基板と、支持基板の一方の面にn型の半導体層と、発光層と、p型の半導体層とを順次積層して備え、p型の半導体層にp電極を設けるとともに、n型の半導体層と発光層とp型の半導体層の一部を除去して露出させたn型の半導体層にn電極を設けた半導体発光素子であって前記p電極及び前記n電極は、それぞれ前記p型の半導体層及び前記n型の半導体層のほぼ全面に接触して形成された酸化インジウム錫からなる透明層と、透明層上に形成されてその大きさを少なくとも透明層と同等とし、銀、アルミニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの材料からなる反射層とを積層してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L33/00 , H01L21/28

FI (3)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/28 301B

F-Term (13)：

4M104AA04 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA83 , 5F041CA86 , 5F041CA88

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341612 Applicant：株式会社東芝
波長変換型半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-040876 Applicant：スタンレー電気株式会社
反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345584 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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