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J-GLOBAL ID：200903025018222440

シリコン超微粒子の製造方法

Inventor： 三谷 力 ,  鈴木 茂夫 ,  新宅 秀信
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993071423
Publication number (International publication number)：1994279015
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 従来に比べて粒径が揃った高純度のシリコン超微粒子の製造方法を提供する。【構成】 対向するシリコン電極9、9間で発生させた第一の高温プラズマ10によって前記シリコン電極を蒸発させた後、引続き前記蒸発物を減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ14中に通過させてなるシリコン超微粒子の製造方法。

Claim (excerpt)：

対向するシリコン電極間で発生させた第一の高温プラズマによって前記シリコン電極を蒸発させた後、引続き前記蒸発物を減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ中に通過させてなるシリコン超微粒子の製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/021 ,  B01J 19/08