Pat
J-GLOBAL ID：200903025042598559
半導体光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
鈴木 雄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163971
Publication number (International publication number)：1994244509
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 室温以上の高温で発振する青色半導体光素子を提供する。【構成】 2族元素としてZnもしくはCdのいずれかを含み、6族元素としてS、SeもしくはTeのいずれかを含む化合物半導体から構成され、活性層4とクラッド層6を含むダブルヘテロ構造を有する半導体光素子において、クラッド層6あるいは光閉じ込め層5の一部に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する、歪超格子層を用いた多重量子障壁構造8を設ける
Claim (excerpt)：
2族元素としてZnもしくはCdのいずれかを含み、6族元素としてS、SeもしくはTeのいずれかを含む化合物半導体から構成され、活性層とクラッド層を含むダブルヘテロ構造を有する半導体光素子において、クラッド層あるいは光閉じ込め層の一部に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する、歪超格子層を用いた多重量子障壁構造を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
Return to Previous Page
