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J-GLOBAL ID：200903025051055339

フッ素ゴム積層体の製造方法およびそれからなるゴム積層体

Inventor： 前田 明夫 ,  瀬谷 弘旦
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991348246
Publication number (International publication number)：1993214118
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Aug. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フッ素ゴム層と他のゴム層(エピクロルヒドリン系ゴム、アクリロニトリルーブタジエン系ゴム、水素化アクリロニトリルーブタジエン系ゴム、アクリルゴムなど)とからなり、それらゴム層の加硫系の如何にかかわらず接着性に優れるゴム積層体を提供すること。【構成】 フッ素ゴム層と他のゴム層とからなるゴム積層体を製造するに際し、両ゴム層間に化1で示されるホスホニウム塩を介在させて、加圧、加熱する方法により接着加硫してなるゴム積層体。【化1】(R1、R2、R3、R4は置換基を含んでもよい炭素数1〜20の炭化水素残基である。ただし、R1、R2、R3、R4のうちの3個までは1〜3級アミノ基またはフルオロアルキル基でもよい。R5は水素または炭素数1〜20のアルキル基である。)

Claim (excerpt)：

フッ素ゴム層と他のゴム層とからなる積層体を製造するに際し、ゴム層間に次式で示されるホスホニウム塩を介在させて両ゴム層を積層し、加熱、接着することを特徴とするフッ素ゴム積層体の製造方法。【化1】(R1、R2、R3、R4は置換基を含んでもよい炭素数1〜20の炭化水素残基である。ただし、R1、R2、R3、R4のうちの3個までは1〜3級アミノ基またはフルオロアルキル基でもよい。R5は水素または炭素数1〜20のアルキル基である。)

IPC (5)：

C08J 5/12 CEQ ,  B32B 7/10 ,  B32B 25/04 ,  B32B 27/30 ,  B32B 9/04