Pat

J-GLOBAL ID：200903025054377361

ICメモリ装置ならびにその製造方法

Inventor： 小浜 京一 ,  高杉 和夫 ,  山本 博司
Applicant, Patent owner： 日立マクセル株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994072177
Publication number (International publication number)：1995276866
Application date： Apr. 11, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 実装高さが低く、かつ容易に実装でき、薄いベアチップICも実装可能なICメモリ装置ならびにその製造方法を提供することにある。【構成】 導電パターン5を有するプリント配線基板1と、そのプリント配線基板1上に固定されたベアチップIC4と、そのベアチップIC4とプリント配線基板1との間に配置された電気絶縁性の支持シート7と、その支持シート7上に形成されてベアチップIC4の電極部4cとプリント配線基板1の端子部5aとの間を電気的に接続する導電薄膜12とを備えたことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

導電パターンを有するプリント配線基板と、そのプリント配線基板上に固定されたベアチップICと、そのベアチップICとプリント配線基板との間に固定された電気絶縁性の支持シートと、その支持シート上に形成されてベアチップICの電極部とプリント配線基板の端子部との間を電気的に接続する導電薄膜とを備えたことを特徴とするICメモリ装置。

IPC (2)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077

FI (2)：

G06K 19/00 K ,  G06K 19/00 L