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J-GLOBAL ID：200903025056528570
半導体素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284117
Publication number (International publication number)：1994132257
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 モリブデン・タンタル合金のエッチング速度を速め、かつ金属導体の断面形状のテーパー角度を容易に制御する。【構成】 基板と、この基板上にモリブデン・タンタル合金層を形成する工程と、モリブデン・タンタル合金層を混合ガスのプラズマを用いて異方性ドライエッチング加工する工程とからなる半導体素子の製造方法において、混合ガスが、プラズマ中で弗素イオンまたは弗素ラジカルを形成するガスおよび塩素イオンまたは塩素ラジカルを形成するガスを少なくとも含有する。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上にモリブデン・タンタル合金層を形成する工程と、前記モリブデン・タンタル合金層を混合ガスのプラズマを用いて異方性ドライエッチング加工する工程とからなる半導体素子の製造方法において、前記混合ガスが、プラズマ中で弗素イオンまたは弗素ラジカルを形成するガス、およびプラズマ中で塩素イオンまたは塩素ラジカルを形成するガスを少なくとも含有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
