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J-GLOBAL ID：200903025071863830
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017988
Publication number (International publication number)：1993218036
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 タングステンと銅との積層構造を有する配線に関し,層間密着力の大きな配線構造を提供することを目的とする。【構成】 基板5上に,チタン層2を挟んでタングステン層3及び銅層1が積層されてなる電気配線9を有して構成される。
Claim (excerpt)：
基板(5)上に,チタン層(2)を挟んでタングステン層(3)及び銅層(1)が積層されてなる電気配線(9)を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 29/46
