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J-GLOBAL ID：200903025078945743
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993025568
Publication number (International publication number)：1994244312
Application date： Feb. 15, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【構成】リードフレームインナー、ダイパット部吊りに放熱用中間穴を設ける。樹脂封止時に半導体装置の厚み方向に放熱目的の貫通穴を設ける。IC素子を樹脂封止する際のモールド工程金型上型固定ピン、下型固定ピンで放熱用中間穴を上下より挟み込む形で支える。モールド工程の上下金型9、10に固定ピン13、14を設けこの固定ピン上下を前記ダイパット吊りに設けた放熱用中間穴位置と同位置に設定する。上下ピンがダイパット吊りに接するまで沈め前記IC素子、金線、インナーリードを樹脂封止する。【効果】IC素子で発生した大部分の熱をリードフレームを介し貫通穴から空気の対流により放熱する事により半導体装置を劣化、破壊させる事なく長時間の連続使用を可能にした。また樹脂封止する際の樹脂の注入圧力によるダイパット部,IC素子、の上下へのズレ発生が防止でき歩留向上が計れる。
Claim (excerpt)：
放熱機構を有する表面実装型半導体装置において樹脂封止する半導体装置に少なくとも一つ以上の放熱用貫通穴を設けた事を特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/34
, H01L 23/50
