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J-GLOBAL ID：200903025082281469

不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置、ならびに不揮発性記憶装置の駆動方法

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012177
Publication number (International publication number)：1993206411
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】メモリセル10A,10B,10C,10D・・・を、電荷を蓄積するためのMFSFET11A,11B,11C,11D・・・と、MFSFET11A,11B,11C,11D・・・に直列接続された読み出し用のMOSFET12A,12B.12C,12D・・・と、MFSFET11A,11B,11C,11D・・・のゲートに接続された書き込み・消去用のMOSTFT13A,13B,13C,13D・・・とから構成する。【効果】MOSTFTのチャネル部、ソース-ドレイン部を半導体基板に形成しなくても済み、メモリセルの面積を縮小することができる。

Claim (excerpt)：

電荷を蓄積するための強誘電体ゲート膜を有する第1の電界効果トランジスタと、第1の電界効果トランジスタに直列接続された読み出し用の第2の電界効果トランジスタと、第1の電界効果トランジスタのゲートに接続された書き込み・消去用の薄膜トランジスタとを備えたことを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (4)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 371