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J-GLOBAL ID：200903025089403381

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 波田 博光 ,  辰巳 徹 ,  笠井 直記 ,  森 秀光
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996323817
Publication number (International publication number)：1998163124
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】シリコン-ゲルマニウム合金を含んでなる低抵抗のコンタクト・プラグにおいて、拡散層の接合リークの増大を抑制する。【解決手段】N型単結晶シリコン層155,高濃度のN型単結晶シリコン-ゲルマニウム合金層116を選択エピタキシャル成長法,選択ヘテロ・エピタキシャル成長法で形成し、N型単結晶シリコン層157を選択ヘテロ・エピタキシャル成長法で形成する。燐のイオン注入と熱処理とによりN型単結晶シリコン層155,157を高濃度のN型単結晶シリコン層115,117に変換する。

Claim (excerpt)：

主表面には逆導電型拡散層が設けられた一導電型のシリコン基板と、該シリコン基板の主表面を覆う絶縁膜と、該逆導電型拡散層に達する該絶縁膜に設けられたコンタクト孔とを有し、前記コンタクト孔を充填し,前記逆導電型拡散層に直接に接続される逆導電型の第1のシリコン層と該第1のシリコン層に直接に接続される逆導電型のシリコン-ゲルマニウム合金層と該シリコン-ゲルマニウム合金層に直接に接続される逆導電型の第2のシリコン層とからなるコンタクト・プラグを有し、前記コンタクト・プラグに直接に接続される前記絶縁膜の表面上に設けらてた配線を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/28 301 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 301 X