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J-GLOBAL ID：200903025104241440

半導体ウエーハの評価方法及び評価装置

Inventor：
岩渕 美保

About 岩渕 美保

, 
小林 誠

About 小林 誠


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005099712
Publication number (International publication number)：2006278972
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：
【課題】半導体ウエーハ表面のマイクロラフネス(表面粗さ)を正確に評価する半導体ウエーハの評価方法及び評価装置を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる2つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なう半導体ウエーハの評価方法及び少なくとも、表面形状測定手段と、パワースペクトル変換手段と、ノイズ成分判別除去手段とを具備する半導体ウエーハの評価装置。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる2つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なうことを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01B 21/30
FI (2)：
H01L21/66 L ,  G01B21/30 102
F-Term (14)：
2F069AA54 ,  2F069AA60 ,  2F069BB15 ,  2F069CC06 ,  2F069GG01 ,  2F069GG04 ,  2F069GG06 ,  2F069GG07 ,  2F069NN07 ,  2F069NN25 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA20 ,  4M106CB30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特許第3536618号公報
  • 特許第3358549号公報
Cited by examiner (4)
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