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J-GLOBAL ID：200903025110093649

化合物半導体の有機金属気相成長装置及び気相成長方法

Inventor： 土井 秀之 ,  香門 浩一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287487
Publication number (International publication number)：1994135795
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】【目的】 バルブの開閉動作を必要とせずに原料ガスの供給時間を制御することができ、単原子成長を容易に行うことのできる化合物半導体の有機金属気相成長装置及び方法を提供しようとするものである。【構成】 化合物半導体薄膜結晶の有機金属気相成長方法において、反応管の中央にバレル型サセプタを回転可能に配置し、該サセプタの側面に基板を装着可能とし、該サセプタと反応管の間の空間にガスの流れ方向に沿って仕切板を設けて複数の成長室を形成し、それぞれの成長室の両端に原料ガス若しくはパージガスの一対の導入口及び排気口を設け、各成長室に原料ガス若しくはパージガスを常時流下させ、基板と原料ガスの接触時間をサセプタの回転により制御する化合物半導体の有機金属気相成長装置及び方法である。

Claim (excerpt)：

III 族元素を含む有機金属化合物と、V 族元素を含む水素化物又は有機化合物を基板上に供給して化合物半導体の薄膜結晶を成長させる有機金属気相成長装置において、反応管の中央にバレル型サセプタを回転可能に配置し、該サセプタの側面に基板を装着可能とし、該サセプタと反応管の間の空間にガスの流れ方向に沿って仕切板を設けて複数の成長室を形成し、それぞれの成長室の両端に原料ガス若しくはパージガスの一対の導入口及び排気口を設けることを特徴とする化合物半導体の有機金属気相成長装置。

IPC (4)：

C30B 25/08 ,  C30B 25/12 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205