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J-GLOBAL ID：200903025111870002

太陽電池素子

Inventor： 松熊 邦浩 ,  穀内 滋 ,  木田 康博 ,  八木 秀幸 ,  小俣 恭 ,  内田 泰明 ,  初見 君男 ,  朝日 忠夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096602
Publication number (International publication number)：1993299672
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光電変換効率の向上及び製造コストの低減を図ることにある。【構成】 p型の第2層14の両側にn型の第1層13及び複数個のn型の第3層15を有し、第1層13表面から第2層14に達するn型の第4層16及び第3層15表面から第2層14に達するp型の第5層17を設け、更に第4層16にコンタクトする第1の主電極及び第3層15並びに第5層17にコンタクトする第2の主電極を設けて、第1層13側を受光面としている。【効果】 pn接合が分離されているため光電変換効率の向上が図れ、かつスクリ-ン印刷によって主電極が形成できるので製造コストの低減が可能となる。

Claim (excerpt)：

p型導電性のシリコン基板の受光面となる一方の主表面にメサ構造で島状に分離形成されたn+型導電性の第1のn+層と、該第1のn+層の上に形成された光反射防止のための酸化チタン膜と、該酸化チタン膜及び前記第1のn+層を貫通して形成した金-シリコン合金の一対の主電極の一方の第1の主電極と、該一方の第1の主電極と前記第1のn+層とに接しp型シリコン基板とpn接合で接するように形成したn+型導電性のシリコン再成長の第2のn+層と、前記一方の第1の主電極と接する金-アンチモン粒を混合した銀ペ-ストを焼成により形成した一方の第2の主電極と、前記一方の主表面と反対側に位置する裏面となる他方の主表面にメサ構造で島状に分離形成されたn+型導電性の第3のn+層と、該第3のn+層を貫通して形成したアルミニウム-シリコン合金の一対の主電極の他方の第1の主電極と、該他方の第1の主電極と第3のn+層とに接しp型シリコン基板と接するように形成したp+型導電性のシリコン再成長の第1のp+層と、前記第3のn+層及び他方の第1の主電極並びに第1のp+層と接するアルミニウム粒を混合した銀ペ-ストの焼成により形成した他方の第2の主電極とから構成されることを特徴とする太陽電池素子。