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J-GLOBAL ID：200903025122621608

半導体レーザ装置

Inventor： 篠原 しのぶ
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997141973
Publication number (International publication number)：1998335737
Application date： May. 30, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体基板の種類や発光素子の構造によらず、またレーザ光が減衰することなくレーザ出力のモニターが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】N型半導体基板1の第1の表面には、下部分布ブラッグ反射器2と、N型半導体クラッド層3と、活性層4と、P型半導体クラッド層5と、上部分布ブラッグ反射器6と、P型表面電極10とが順に形成されている。さらに、N型半導体基板1の第2の表面には、N型半導体基板1と逆の極性を有する不純物のP型拡散領域11が形成され、このP型拡散領域11上にはP型裏面電極12が、拡散領域外のN型半導体基板1の第2の表面上にはN型裏面電極13が形成されている。さらに、上部分布ブラッグ反射器6側をレーザ光の出射面とするとともに、N型半導体基板1と、このN型半導体基板1の第2の表面に関して形成されたP型拡散領域11との界面を、レーザ光をモニターするための受光部とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板の第1の表面上に形成された下部半導体ミラー層と、この下部半導体ミラー層上に形成された下部半導体クラッド層と、この下部半導体クラッド層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された上部半導体クラッド層と、この上部半導体クラッド層上に形成された上部半導体ミラー層と、この上部半導体ミラー層上に形成された第1の電極と、前記半導体基板の第2の表面に関して形成され、前記半導体基板と逆の導電型を有する不純物の拡散領域と、この拡散領域上に形成された第2の電極と、前記半導体基板の拡散領域外における前記第2の表面上に形成された第3の電極と、を具備し、前記上部半導体ミラー層側をレーザ光の出射面とするとともに、前記半導体基板と、この半導体基板の第2の表面に関して形成された拡散領域との界面を、レーザ光をモニターするための受光部としたことを特徴とする半導体レーザ装置。