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J-GLOBAL ID：200903025132217813

歪量子井戸半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 大塚 信之 ,  鬼頭 雅弘 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993279739
Publication number (International publication number)：1995135370
Application date： Nov. 09, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Alを含む混晶やInAsP混晶と用いて歪量子井戸を作製することで高光出力特性を実現した歪量子井戸半導体レーザを提供する。【構成】 半導体単結晶基板1上に第1の光導波路層2と歪井戸層3とバリア層4よりなる多重量子井戸5と第2の光導波路層6を成長する。歪井戸層としてAlInGaAsP混晶やInAsP混晶をもちいることによりオーダリングによる歪の緩和を抑制すると共に導伝帯のバンド不連続を増大させて高光出力を実現する。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶基板と、前記基板上に積層した第1の光導波路層と、歪量子井戸層と、第2の光導波路層を含み、前記歪量子井戸層を構成する井戸層にAlを含む混晶を用いることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00