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J-GLOBAL ID：200903025144203370

半導体製造方法

Inventor： シュテフェン シュルツェ ,  フランツ ツァッハ
Applicant, Patent owner： インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000132555
Publication number (International publication number)：2000353660
Application date： May. 01, 2000
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ウェハエッジ問題を有する従来方式の欠点に鑑み、これを解消すべく改善を行うこと。【解決手段】 円形の半導体ウェハ上に方形をプリントする、ステップアンドリピートプリント方法において、レチクルの調整をおこない、前記レチクルは、プリントされる、それぞれが方形のフィールド露光エリアを制御するために使用され、前記制御は余分の非機能露光フィールドエリアを方形の正規の機能フィールドエリアに選択的に付加するためにおこない、前記付加はウェハのエッジに近接して露光された方形においておこない、それにより後続のプロセスステップにおいて不均一効果が改善されたエリアがあるようにする。

Claim (excerpt)：

円形の半導体ウェハ上に方形をプリントする、ステップアンドリピートプリント方法において、レチクルを調整するステップが設けられており、前記レチクルは、プリントされる、それぞれが方形のフィールド露光エリアを制御するために使用され、前記制御は余分の非機能露光フィールドエリアを方形の正規の機能フィールドエリアに選択的に付加するためにおこない、前記付加はウェハのエッジに近接して露光された方形においておこない、それにより後続のプロセスステップにおいて不均一効果が改善されたエリアを生じさせる、ことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/22

FI (3)：

H01L 21/30 514 B ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/22 H