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J-GLOBAL ID：200903025164687722

配向膜の配向処理方法

Inventor： 浅儀 典生 ,  桑原 創 ,  江原 泰蔵
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社 ,  株式会社イー・エッチ・シー
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992306462
Publication number (International publication number)：1994130389
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 配向処理の際のパーティクルおよび静電気の発生を抑えることができる配向膜の配向処理方法を提供する。【構成】 ガラス基板4上に形成された配向膜8に対して、真空容器12内で、多数の互いに平行なスリット穴24を有するマスク22を通して、電子ビーム源14から引き出した電子ビーム16を照射する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されていて液晶分子を一定方向に配向させるための配向膜に対して、真空中で、多数の互いに平行なスリット穴を有するマスクを通して電子ビームを照射することを特徴とする配向膜の配向処理方法。