Pat

J-GLOBAL ID：200903025166317442

接続孔埋め込み形成方法

Inventor： 角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136988
Publication number (International publication number)：1993335330
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】アルミニウム等の電極材料に対し、バリア特性を有して、しかも埋め込み特性が良好な、接続孔埋め込み形成方法を提供する。【構成】シリコン基板1の上方全面に形成された層間絶縁膜をパターニングして形成した接続孔15に配線材料を埋め込む、接続孔埋め込み形成方法であって、上記層間絶縁膜をパターニングして接続孔15を形成した後に、上記接続孔15にシリサイドを形成するための金属を、上記シリコン基板1と上記シリサイドを形成するための金属とが反応する温度で堆積する工程を含む。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の上方全面に形成された層間絶縁膜をパターニングして形成した接続孔に配線材料を埋め込む、接続孔埋め込み形成方法であって、前記層間絶縁膜をパターニングして接続孔を形成した後に、前記接続孔にシリサイドを形成するための金属を、前記シリコン基板と前記シリサイドを形成するための金属とが反応する温度で堆積する工程を含むことを特徴とする接続孔埋め込み形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/88 R