Pat
J-GLOBAL ID：200903025171590548
薄膜半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001023847
Publication number (International publication number)：2002231909
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 少ない工程で、且つ分離の際のデバイス形成層への影響を少なくした薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子及び/又は半導体集積回路140を備えた半導体膜110を分離層100上に有する部材120を用意する工程、該部材120を流体の圧力により該分離層で分離する分離工程、及び該分離工程後該半導体膜をチップ化するチップ化工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体素子及び/又は半導体集積回路を備えた半導体膜を分離層上に有する部材を用意する工程、該部材を流体の圧力により該分離層で分離する分離工程、及び該分離工程後該半導体膜をチップ化するチップ化工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/322
, H01L 21/301
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/322 G
, H01L 21/78 L
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
