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J-GLOBAL ID：200903025205735079

緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及び緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜

Inventor：
牧 一誠

About 牧 一誠

, 
曽山 信幸

About 曽山 信幸

, 
藤田 悟史

About 藤田 悟史


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000234625
Publication number (International publication number)：2002047011
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 1回の塗布で0.1μm以上の厚膜を成膜することができ、しかも、1000°C以下の比較的低温の焼成温度で著しく緻密で、誘電特性又は導電特性等の諸特性に優れたペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する。【解決手段】 基板に金属酸化物薄膜形成用原料塗布液を塗布した後、加熱することにより該金属酸化物を結晶化させてペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する方法。塗布液の液相部から得られたペロブスカイト型金属酸化物が、平均粒径200nm以下の粒状の結晶で構成される低密度膜を形成し、この低密度膜を焼結することにより緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜を得る。
Claim (excerpt)：
基板に金属酸化物薄膜形成用原料塗布液を塗布した後、加熱することにより該金属酸化物を結晶化させてペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する方法において、塗布液の液相部から得られたペロブスカイト型金属酸化物が、平均粒径200nm以下の粒状の結晶で構成される低密度膜を形成する第1工程と、該低密度膜を焼結する第2工程とを備えることを特徴とする緻密質ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。
IPC (7)：
C01G 1/02 ,  C01G 23/00 ,  C01G 25/00 ,  C01G 51/00 ,  C01G 55/00 ,  C04B 35/49 ,  H01L 27/105
FI (7)：
C01G 1/02 ,  C01G 23/00 B ,  C01G 25/00 ,  C01G 51/00 A ,  C01G 55/00 ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 27/10 444 C
F-Term (36)：
4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA22 ,  4G031AA32 ,  4G031BA02 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031BA15 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA07 ,  4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CB06 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G047CD08 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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