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J-GLOBAL ID：200903025210769003

ヘテロ接合半導体装置

Inventor： 龍治 彰 ,  井上 薫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993030473
Publication number (International publication number)：1994244217
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 GaAs基板上に、InGaAsチャネル層とInGaPキャリア供給層およびスペーサ層からなるヘテロ接合を有する高電子移動度トランジスタ(HEMT)において、ヘテロ接合界面に発生する2次元電子ガスの移動度を高める。【構成】 ノンドープのInx Ga1-x Asからなるチャネル層3と、ノンドープのIn0.45Ga0.55Pを含むスペーサ層4,5と、n型のIn0.45Ga0.55Pからなるキャリア供給層6とを、GaAs基板1上に順次形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ノンドープのInx Ga1-x Asからなるチャネル層と、ノンドープのIn0.45Ga0.55Pを含むスペーサ層と、n型のIn0.45Ga0.55Pからなるキャリア供給層とを、GaAs基板上に順次形成したことを特徴とするヘテロ接合半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812