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J-GLOBAL ID：200903025212339634

EPROM及びその製造方法

Inventor： 佐伯 勝利
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991212317
Publication number (International publication number)：1993055597
Application date： Aug. 23, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 EPROMのフィールド酸化膜のバーズビークの影響を除去すること。【構成】 EPROM基板(21)におけるフィールド酸化膜(22)のバーズビーク部分をエッチングにより除去し、その間を埋めるポリシリコンによりフローティングゲート(26)を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の素子分離用フィールド酸化膜のバーズビーク部分をエッチングにより除去する工程と、前記素子分離用フィールド酸化膜によって分離された素子形成領域表面にゲート酸化膜を形成する工程と、この酸化膜上にポリシリコンを堆積する工程と、前記堆積したポリシリコンをエッチバックし前記フィールド酸化膜間の前記素子形成領域上にポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層上にフローティングゲートを形成する工程を含むことを特徴とするEPROMの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-225364
  
• 特開昭60-234372
  
• 特開昭62-063476
  
• 特開昭63-084071