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J-GLOBAL ID：200903025221901990

ホトマスクおよびそれを用いたパタン形成方法

Inventor： 長谷川 昇雄 ,  村井 二三夫 ,  早野 勝也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992326433
Publication number (International publication number)：1994175347
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半透明位相シフトマスクにおいて、素子領域より外周に実効的な暗部を、遮光膜を使わずに形成する。【構成】 半透明位相シフト部3と透過部5を最適な寸法組合せで構成することにより、実効的な暗部を形成する。【効果】 半透明膜のみのパタンで実効的な暗部を形成することができ、マスク作成工程を増やすこと無く、実用上有用な半透明位相シフトマスクを作成することができる。

Claim (excerpt)：

露光光に対して半透明な領域と、透明な領域を含み、上記透明な領域を通過する光に対し、半透明な領域を通過する光の位相差がおよそ180°となるようにした半透明位相シフト領域を含むホトマスク内に、半透明位相シフトパタンと透明パタンを投影露光光学系の解像限界以下の繰返しピッチで配列したパタンを有する事を特徴とするホトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W