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J-GLOBAL ID：200903025228616450

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 田中 幸一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996126592
Publication number (International publication number)：1997289325
Application date： Apr. 22, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 レーザー光を利用することによって作製した薄膜トランジスタの特性を向上させる。【構成】 珪素膜101上に酸化珪素膜105が成膜された状態において、レーザー光100を照射し、珪素膜101と酸化珪素膜105に対するアニールを行う。この時、酸化珪素膜105の膜厚dを(N/4n)λ0 で示される値に概略一致させる。ここで、Nは正の奇数、nがレーザー光の波長に対する酸化珪素膜105の屈折率、λ0 は真空中でのレーザー光の波長である。このような条件を満足させることにより、酸化珪素膜105中においてレーザー光の定常波を生じさせることができる。そして、珪素膜101に対するアニールと同時に酸化珪素膜105に対するアニールを同時に行うことができる。

Claim (excerpt)：

珪素膜と、該珪素膜上に形成された酸化珪素膜と、を有した構造に対してレーザー光を照射するプロセスであって、Nを正の奇数、nを酸化珪素膜の屈折率、λ0 を真空中でのレーザー光の波長として、酸化珪素膜の厚さを概略d=(N/4n)λ0 で示される値にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (6)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭62-119974
  
• 特開平2-224253
  
• 特開平3-173415
  
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-191934   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-224253
  
• 特開平3-173415