ヒユーズ抵抗器およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992186637
Publication number (International publication number)：1994036675
Application date： Jul. 14, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】低溶断電力のフラツトチツプヒユーズ抵抗器を提供する。【構成】所定サイズの絶縁基板10の一方の面に、所定サイズの抵抗体30を形成し、抵抗体30の一端部近傍へ、その一端部近傍が重畳するように、所定サイズのヒユージングエレメント31を形成する。さらに、抵抗体30の他端部近傍に重畳するように電極21を、ヒユージングエレメント31の他端部近傍に重畳するように電極20をそれぞれ形成して、抵抗体30をトリミングする。さらに、ヒユージングエレメント31を略覆うように、蓄熱層を形成する。

Claim (excerpt)：

所定サイズの絶縁基板に形成されたヒユーズ抵抗器であつて、前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵抗体層と、前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳するように形成した所定サイズのヒユーズ素子と、前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも1つの第1の電極部と、前記ヒユーズ素子の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも1つの第2の電極部と、前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層とを有することを特徴とするヒユーズ抵抗器。

IPC (5)：

H01H 85/048 , H01C 7/00 , H01C 7/13 , H01C 17/06 , H01H 69/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭59-100501
特開平4-065046
特開昭62-055832

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