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J-GLOBAL ID：200903025277915411

圧電体素子

Inventor： 木村 隆幸 ,  橋本 和生
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997271085
Publication number (International publication number)：1999108951
Application date： Oct. 03, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】加速度センサのバイモルフ型圧電素子の特性のばらつきを減少させ、劣化の少ない、小型にしても高感度の加速度センサ用圧電体素子を提供する。【解決手段】基板の両面に圧電体層を有する加速度を検出するバイモルフ型圧電素子において、素子を支持する部分を、素子の基板と一体化させることにより、支持部位を接着剤で直接接着することを必要としない構造とした。圧電体層は、水熱合成で形成されることが好ましく、基板としては、素子の特性に合うよう様々な材料から選択できる。

Claim (excerpt)：

加速度センサの加速度を検出する、基板の両面に圧電体層を有するバイモルフ型圧電素子において、素子を支持する部分が、素子の基板と一体化していることを特徴とする加速度センサ用圧電体素子。

IPC (3)：

G01P 15/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/09

FI (3)：

G01P 15/09 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/08 M