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J-GLOBAL ID：200903025279734708

太陽電池の製造方法

Inventor： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994073136
Publication number (International publication number)：1995283430
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不純物汚染がない結晶性に優れたI族、III族およびVI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜を簡単なプロセスで製造し、生産性に優れた高エネルギー変換効率の太陽電池を提供する。【構成】 透明基体上に、III族薄膜を堆積し、VI族元素を含む雰囲気中で熱処理することなどにより、III族ーVI族薄膜を形成し、次に、前記薄膜上にI族元素を堆積した後、VI族元素を含む雰囲気中で熱処理するなどにより、カルコパイライト構造半導体薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

透明基体上にIII族元素とVI族元素からなる化合物の薄膜を形成した後に、前記薄膜上にI族元素を堆積し、VI族元素を含む雰囲気中で熱処理することにより、I族元素、III族元素およびVI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜を形成する工程を含む太陽電池の製造方法。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  C01B 19/00 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/363