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J-GLOBAL ID：200903025280346258

半導体表面研磨方法及び研磨装置

Inventor： 牧野 泰博
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332750
Publication number (International publication number)：1995193033
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【構成】本発明の半導体表面研磨装置は、研磨装置の研磨台の一部に透過性の物質を用いる。研磨面の膜厚測定を行う際は、研磨台下より膜厚測定器の発光光を研磨面へ透光部を通して照射し、この透光部を通って反射してくる反射光の状態を膜厚測定器により受光し、膜厚を測定する。【効果】本発明によれば、研磨中に膜厚測定のために基板を研磨装置から取り出す必要がなく、またストッパ-材を基板表面に用いる工程等を削減できるため、工程数と時間の削減ができる。さらに研磨中に随時膜厚を測定することにより膜厚研磨量の制御性が改善できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板を基板支持台に設置する工程と、前記半導体基板を前記半導体基板と研磨台との間に介在させた研磨材によって研磨する工程と、前記半導体基板の研磨面の膜厚を検知する工程を具備する半導体表面研磨方法において、前記半導体基板の膜厚を上記研磨台を透過する光によって検出することを特徴とする半導体表面研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/66