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J-GLOBAL ID：200903025285494182

半導体集積回路

Inventor： 姥田 律子
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992302074
Publication number (International publication number)：1994149407
Application date： Nov. 12, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】低電源電圧で動作可能なUVEPROMを有する半導体集積回路において、スタンバイ期間中の消費電流を減少させる。【構成】選択回路2により選択されるクロックによりチャージポンプ8は動作するため、HALT期間中は制御信号発生器5からの選択信号によりチャージポンプ8に入力するクロックをカットしてチャージポンプ8を停止させる事により、動作電流をカットする。またHALT解除の信号により発振器3を動作させると共に、発振周波数の高い発振器3の出力クロックによってチャージポンプ8を動作させ、出力電圧VPM9を急激に昇圧させる。また発振器3はカウントアップタイマ4の設定数だけ発振すると、タイマ4の終了信号により動作を停止し、チャージポンプ8への入力クロックを外部クロックより生成される第一のクロック1に変更する事により、発振器3及びチャージポンプ8の動作電流を減少させる。

Claim (excerpt)：

低電源電圧で動作可能なUVEPROMを有する半導体集積回路において、電源電圧よりも高い電圧を発生する昇圧回路からなるチャージポンプと、前記チャージポンプへ供給する第一のクロックの端子と、前記第一のクロックよりも周波数の高い第二のクロックを生成する内部発振器と、前記チャージポンプの動作状態を検出して、制御信号を出力する制御信号発生回路と、前記制御信号により前記チャージポンプに入力するクロックを選択する選択回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3)：

G06F 1/04 301 ,  G11C 16/06 ,  H02M 3/07