Pat

J-GLOBAL ID：200903025293292661

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 古谷 章
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992315203
Publication number (International publication number)：1994164057
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 II-VI族化合物半導体レーザとその製造方法に関し、p型GaAs基板とp型クラッド層のヘテロ接合界面で生じる大きな価電子帯不連続を緩和して、低電圧動作できるII-VI族化合物半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 GaAsよりも禁制帯幅の広いII-VI族化合物半導体層を含んで形成されたダブルヘテロ接合構造と、基板またはコンタクト層を構成するp型GaAs層と、前記ダブルヘテロ接合構造と前記p型GaAs層との間に配置され、GaAsと前記II-VI族化合物半導体との中間のバンドギャップを有し、GaAsとほぼ格子整合し、p型Alx Ga1-x As、p型(Aly Ga1-y )0.5 In0.5 Pの少なくとも一種で形成されたバッファ層を含む中間層とを有する。

Claim (excerpt)：

GaAsよりも禁制帯幅の広いII-VI族化合物半導体層を含んで形成されたダブルヘテロ接合構造(3、4、5)と、基板またはコンタクト層を構成するp型GaAs層(1)と、前記ダブルヘテロ接合構造と前記p型GaAs層との間に配置され、GaAsと前記II-VI族化合物半導体との中間のバンドギャップを有し、GaAsとほぼ格子整合し、p型Alx Ga1-x As、p型(Aly Ga1-y )0.5 In0.5 Pの少なくとも一種で形成されたバッファ層を含む中間層(2)とを有する半導体レーザ。