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J-GLOBAL ID：200903025308725284
半導体発光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016258
Publication number (International publication number)：1993218565
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 p側のオーム性接触やヘテロバリアの存在に起因する電圧降下を低減することができ、動作電圧が低く信頼性に優れた半導体発光装置を提供することにある。【構成】 活性層をクラッド層で挟んだZnCdSSe系のダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、ダブルヘテロ構造部とp側電極24との間に設けるコンタクト層を、ダブルヘテロ構造部側からp-InGaP層21,p-GaAs層22とし、p側電極24とヘテロ構造部間におけるヘテロバリアを小さくしたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
II族元素及びVI族元素を含む半導体層を発光層又はクラッド層としたヘテロ構造部と、このヘテロ構造部とp側電極との間に挿入された少なくとも2層のコンタクト層とを具備し、前記コンタクト層は、ヘテロ構造部からp側電極に向ってバンドギャップが順次小さくなるものであることを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
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