III-V族化合物半導体ウェハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132033
Publication number (International publication number)：1998321487
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】デバイスプロセスで割れが生じにくいIII-V族化合物半導体ウェハを提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体からなるウェハ21は、断面がほぼ半径Rの円弧形状を有するように外周端部が面取りされた、III-V族化合物からなる基板22と、基板22上に形成されたIII-V族化合物層からなるエピタキシャル層26とを備える。ウェハ22の外周端縁から距離Lだけ離れた位置までの部分が除去されており、距離Lが式R≦L≦3Rの関係を満足する。

Claim (excerpt)：

断面がほぼ半径Rの円弧形状を有するように外周縁部が面取りされた、III-V族化合物からなる半導体基板と、この基板上に形成されたIII-V族化合物層とを備えたIII-V族化合物半導体ウェハにおいて、前記III-V族化合物半導体ウェハ上の外周端縁から距離Lだけ離れた位置までの部分が除去されており、距離Lが式R≦L≦3Rを満足することを特徴とする、III-V族化合物半導体ウェハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

エピタキシャル基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-034358 Applicant：信越半導体株式会社
特開平4-122023

Cited by examiner (2)

エピタキシャル基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-034358 Applicant：信越半導体株式会社
特開平4-122023

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