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J-GLOBAL ID：200903025309569715

III-V族化合物半導体ウェハ

Inventor： 三浦 祥紀 ,  森本 俊之
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132033
Publication number (International publication number)：1998321487
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 デバイスプロセスで割れが生じにくいIII-V族化合物半導体ウェハを提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体からなるウェハ21は、断面がほぼ半径Rの円弧形状を有するように外周端部が面取りされた、III-V族化合物からなる基板22と、基板22上に形成されたIII-V族化合物層からなるエピタキシャル層26とを備える。ウェハ22の外周端縁から距離Lだけ離れた位置までの部分が除去されており、距離Lが式R≦L≦3Rの関係を満足する。

Claim (excerpt)：

断面がほぼ半径Rの円弧形状を有するように外周縁部が面取りされた、III-V族化合物からなる半導体基板と、この基板上に形成されたIII-V族化合物層とを備えたIII-V族化合物半導体ウェハにおいて、前記III-V族化合物半導体ウェハ上の外周端縁から距離Lだけ離れた位置までの部分が除去されており、距離Lが式R≦L≦3Rを満足することを特徴とする、III-V族化合物半導体ウェハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• エピタキシャル基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-034358   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平4-122023