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J-GLOBAL ID：200903025311636080

強誘電体薄膜の形成方法

Inventor： 白川 幸彦 ,  山本 恭之
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 三澤 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016311
Publication number (International publication number)：1994228736
Application date： Feb. 03, 1993
Publication date： Aug. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 主たる組成がPb(Zr1-x Tix )O3 (x>0.1)薄膜を気相成長させる際、パイロクロア相の形成を防止する。【構成】 主たる組成がPb(Zr1-x Tix )O3 (x>0.1)で示されるペロブスカイト型結晶構造からなる強誘電体薄膜を気相成長法によって基板に成長させる際、特に成長初期時に過剰なPbもしくはPbの酸化物を基板に供給するようにする。成長初期時の薄膜はその後に成長する薄膜に比べてより多量のPbもしくはPbの酸化物を必要とするが、この条件が満たされるのでパイロクロア相は形成されず、ペロブスカイト相のみが形成される。

Claim (excerpt)：

主たる組成がPb(Zr1-x Tix )O3 (x>0.1)で示されるペロブスカイト型結晶構造からなる強誘電体薄膜を気相法によって所定の基板上に成長させる際に、前記強誘電体薄膜の成長初期時に過剰なPbもしくはPbの酸化物を基板に供給することを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (6)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/24 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-096368
  
• 特開昭62-260720
  
• 特開昭62-161953