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J-GLOBAL ID：200903025314023852

半導体レーザ装置

Inventor： 山中 豊
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168543
Publication number (International publication number)：1993021889
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】偏光制御をされた垂直共振器型の半導体レーザ装置を得る。【構成】垂直共振器を構成する反射ミラーの1つにグレーティング構造を設けることで、直交する偏光間で反射率に差を生じさせ、特定の偏光方向で発振するレーザ装置を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の反射ミラー層、活性層、第2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型の半導体レーザ装置において、前記第2の反射ミラー層の中に、面内方向において発振レーザ波長と同程度かそれ以下の周期構造を有する位相グレーティング層と、前記グレーティング層に接する金属層よりなる反射構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。