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J-GLOBAL ID：200903025315477970

レジスト堆積方法

Inventor： トーマス エヴァンス アダムス
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214426
Publication number (International publication number)：1995169684
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板上へレジストの均一な薄膜を形成すること。【構成】 半導体ウェハー等の基板であるウェハー(11)へフォトレジスト等の材料の堆積をする場合において、ウェハー(11)を回転させ、また堆積を、ウェハー(11)のエッジ(51)で開始するとともに螺旋(53)状のパターンで内側に向かって移動することにより、従来方法よりも均一な被覆が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の製造方法であって、ウェハー(例えば11)を速度r1 で回転する工程を有し、更に、前記ウェハー(例えば11)のエッジ(例えば51)においてレジストの堆積を開始する工程と、前記ウェハーの中心(例えば55)に向かって延在する螺旋状のパターン(例えば53)で前記レジストを連続して堆積する工程と、前記堆積を終了させる工程と、より速い速度r3 で所定の時間だけ前記ウェハー(例えば11)を回転する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502