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J-GLOBAL ID：200903025326871549

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 比留間 健之 ,  矢沢 正光 ,  望月 和浩 ,  宮崎 勝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993050390
Publication number (International publication number)：1994267992
Application date： Mar. 11, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 イオン衝撃エピタキシャル層損傷のない半導体装置の製造方法および高集積化に有利な素子構造の半導体装置を提供する。【構成】 能動領域5と、この能動領域5と電極金属10,11を接続する半導体層9とを、半導体材料の選択成長法により形成する。電界効果トランジスタの場合、ゲート電極8をそのゲート幅方向で絶縁膜3上まで延在した構造とする。バイポーラトランジスタの場合、ベース層を絶縁膜上まで延在した構造とする。

Claim (excerpt)：

高抵抗基板と、該高抵抗基板上に並置して形成された第1の電界効果トランジスタおよび絶縁膜を有し、上記第1の電界効果トランジスタのゲート電極がゲート幅方向に上記絶縁膜上まで延在して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 X