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J-GLOBAL ID：200903025336342021
化合物半導体封止用樹脂並びに半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104799
Publication number (International publication number)：1994314816
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 化合物半導体チップの特性劣化を防止することができる化合物半導体封止用樹脂を提供する。【構成】 化合物半導体封止用樹脂は、付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とし、有機基とオキシ基との結合からなる基を含有する。上記有機基とオキシ基との結合からなる基は、シロキサン化合物の分子の末端に結合しているのが望ましく、例えば、アルコキシ基(-OR′)である。化合物半導体チップを上記化合物半導体封止用樹脂で覆った後、所定の条件で上記化合物半導体封止用樹脂を反応させて、シリコーン樹脂を生成させるとともに、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分の元素を上記シリコーン樹脂のシロキサン基(-Si-O-)と化学的に結合させる。
Claim (excerpt)：
付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とする化合物半導体封止用樹脂であって、有機基とオキシ基との結合からなる基を含むことを特徴とする化合物半導体封止用樹脂。
IPC (6)：
H01L 31/12
, C08G 77/00 NTZ
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 33/00
