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J-GLOBAL ID：200903025355040656

二次電池及びその製造方法

Inventor： 川上 総一郎 ,  小林 直哉 ,  浅尾 昌也
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996355440
Publication number (International publication number)：1997231962
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【目的】 二次電池における負極でのデンドライトの析出を抑制し、電池の性能を高める。【構成】 少なくとも負極101、正極102、電解質103、電池ハウジング104を有する二次電池において、少なくとも負極101表面に充電時の電界と直交する磁力線を発生させる磁界発生手段100を設けた二次電池。

Claim (excerpt)：

少なくとも負極、正極、電解質、電池ハウジングを有する二次電池において、少なくとも負極表面に充電時の電界と直交する磁力線を発生させる磁界発生手段を設けたことを特徴とする二次電池。

IPC (4)：

H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40

FI (4)：

H01M 4/02 D ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z