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J-GLOBAL ID：200903025363240532

面発光レーザおよびその製造方法

Inventor： 近藤 貴幸 ,  西川 尚男
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999333089
Publication number (International publication number)：2001156396
Application date： Nov. 24, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 レーザ光の放射角を小さく設定することを可能とし、さらに、酸素や水分などの半導体の性能を劣化させる物質に対して耐性のある面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面発光型半導体レーザ100は、半導体基板109上に、垂直方向の共振器を有し、共振器より半導体基板109に垂直な方向にレーザ光を出射するものである。共振器を含む半導体堆積体120の上には、光透過性積層体140が設けられ、光透過性積層体140は、複数の光透過性層142,144が積層されて構成されている。光透過性層142,144の界面のうち、少なくとも2つの界面は、共振器の上方において、レンズ面150,152を有している。この面発光型半導体レーザ100の製造方法は、光透過性積層体140を構成する、少なくとも一つの光透過性層を、スタンパを利用して形成する工程を含むことが好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、垂直方向の共振器を有し、該共振器より該半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する、面発光型半導体レーザであって、前記共振器を含む半導体堆積体の上に、光透過性積層体が設けられ、前記光透過性積層体は、複数の光透過性層が積層されて構成され、前記光透過性層の界面のうち、少なくとも2つの界面は、前記共振器の上方において、レンズ面を有している、面発光型半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 5/183 ,  G11B 7/125

FI (2)：

H01S 5/183 ,  G11B 7/125 A

F-Term (21)：

5D119AA33 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA21 ,  5D119FA30 ,  5D119JA02 ,  5D119JA64 ,  5D119LB05 ,  5D119LB11 ,  5D119NA04 ,  5D119NA05 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB05 ,  5F073AB17 ,  5F073AB26 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073EA19 ,  5F073EA28