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J-GLOBAL ID:200903025364246542

炭素膜被覆物品及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷川 昌夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002201339
Publication number (International publication number):2004043867
Application date: Jul. 10, 2002
Publication date: Feb. 12, 2004
Summary:
【課題】基体上に炭素膜が形成された炭素膜被覆部材であって、炭素膜の基体への密着性が高い炭素膜被覆部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】基体11上に、混合層12、タングステン膜13及び炭素膜14が形成された炭素膜被覆部材1。混合層12は、タングステンと基体11の構成元素を含む元素からなる。混合層12の厚みは例えば1nm〜200nmとする。タングステン膜13の厚みは例えば5nm〜170nmとする。炭素膜14の厚みは例えば500nm〜5μmとする。陰極を含む真空アーク蒸発源を有する真空アーク蒸着装置において、アーク放電により蒸発させた陰極材料を利用して、混合層12、タングステン膜13及び炭素膜14のうちの少なくとも一つを形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
炭素膜被覆物品であり、該物品の基体上に形成され、該基体構成元素及びタングステンを含む混合層と、該混合層上に形成されたタングステン膜と、該タングステン膜上に形成された炭素膜とを含む炭素膜被覆物品。
IPC (2):
C23C14/06 ,  C23C14/24
FI (3):
C23C14/06 N ,  C23C14/06 F ,  C23C14/24 F
F-Term (10):
4K029BA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BC02 ,  4K029BD00 ,  4K029BD03 ,  4K029BD05 ,  4K029CA13 ,  4K029EA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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