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J-GLOBAL ID：200903025366576574
ダイヤモンドの気相合成法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054979
Publication number (International publication number)：1995243044
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基材の上にダイヤモンド膜を厚く気相合成すると、内部応力のために基材が反る。基材が反ると、基材と支持台の接触が不完全になる。基材は、基材支持台によって冷却されているので、基材と支持台の接触が不完全になると、基材の温度が上がり過ぎたり温度が不均一になったりする。厚いダイヤモンド膜を基材の上に合成するのが目的である。【構成】 ダイヤモンド膜がある程度形成されると基材を取出し、基材裏面を面出し加工する。平坦にしてから再び基材支持台の上に戴置する。接触が完全になる。ダイヤモンドを再び合成する。基材が歪む前に取出し、また基材裏面の面出しをする。このようにダイヤモンド膜の合成と、基材裏面の面出し加工を繰り返す。常に基材裏面が、支持台に緊密に接触できるので、基材の温度を支持台の冷却媒体の流量温度により制御できるから、品質が一定のダイヤモンドが引き続き形成できる。同じ工程を繰り返して厚い膜を生成できる。
Claim (excerpt)：
CVD装置の中に設けられ冷却媒体により冷却されている基材支持台に、基材を戴置し、炭化水素と水素を含む原料ガスを導入し、原料ガスを、熱、プラズマ、マイクロ波、高周波電界などによって励起し、基材の上にダイヤモンド膜を合成する方法において、ダイヤモンド膜をある厚み以下に合成し、基板を取出し、基板裏面を面出し加工して反りを除いて平坦にし、再びCVD装置の基材支持台に戴置して、基材の上にダイヤモンド膜を合成する工程を繰り返し、基材の裏面の反りを除きながら、ダイヤモンド膜を合成することを特徴とするダイヤモンドの気相合成法。
IPC (2)：
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