Pat
J-GLOBAL ID：200903025390713809
光電変換材料用半導体及びこの半導体を用いた積層体並びにこれらの製造方法及び光電池
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998019148
Publication number (International publication number)：1999219734
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 透明導電膜としてITOのような光透過性及び導電性に優れたものが使用でき、光電変換効率がよい、光電変換材料用半導体及びその半導体を用いた積層体並びにこれらの製造方法及び光電池を提供する。【解決手段】 半導体前駆体物に光を照射することにより光電変換材料用半導体を得る。絶縁基板21に透明導電層22を形成し、その上に半導体前駆体物層を形成し、これに光を照射することにより半導体層23を形成することにより、積層体20を得る。なお、半導体層23には光増感色素24が吸着されたものが好ましい。この積層体20を作用電極とし、絶縁基板(透明ガラス板など)41に透明導電層42を形成した基板40を対電極として用い、この積層体20と基板40との間に電解質溶液30を封入して、光電池(太陽電池)10を得る。
Claim (excerpt)：
半導体前駆物に光を照射することにより半導体が形成されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2)：
FI (2)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
