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J-GLOBAL ID：200903025398030131

フェニルナフタレン誘導体

Inventor： 竹原 貞夫 ,  大澤 政志 ,  高津 晴義
Applicant, Patent owner： 大日本インキ化学工業株式会社
Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998191471
Publication number (International publication number)：2000026341
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 TN-Iが高く、適当な大きさの△nを有するフッ素系のフェニルナフタレン誘導体である液晶性化合物を提供し、これを含有するN相温度範囲が広く、低電圧駆動性を有し、アクティブマトリックス駆動用としても使用可能な液晶組成物、更に、これを構成要素とする液晶素子を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C数1〜10のアルキル基、C数2〜10のアルケニル基又はアルコキシルアルキル基、L:-CH2CH2-又は単結合、X:H原子又はF原子。シクロヘキシレン基の1,4-位はトランス配置。)のフェニルナフタレン誘導体、これを含有する液晶組成物、これを構成要素とする液晶素子。

Claim (excerpt)：

一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数2〜10のアルケニル基又はアルコキシルアルキル基を表し、Lは-CH2CH2-又は単結合を表し、Xは水素原子又はフッ素原子を表す。また、シクロヘキシレン基の1,4-位はトランス配置である。)で表されるフェニルナフタレン誘導体。

IPC (5)：

C07C 25/22 ,  C07C 25/24 ,  C07C 43/174 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 500

FI (5)：

C07C 25/22 ,  C07C 25/24 ,  C07C 43/174 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 500

F-Term (13)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB64 ,  4H006EA37 ,  4H006GP01 ,  4H006GP22 ,  4H027BA01 ,  4H027BC04 ,  4H027BD02 ,  4H027BD04 ,  4H027BD07 ,  4H027CT04 ,  4H027DK04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• p-テルフェニル誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-181522   Applicant：大日本インキ化学工業株式会社