薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059497
Publication number (International publication number)：1997249972
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】イリジウム膜及び酸化イリジウム膜を選択的に成長する薄膜形成方法を提供する。また、選択的に成長したイリジウム膜又は酸化イリジウム膜の微細パターンを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の領域に第1の物質が露出し、第2の領域に第2の物質が露出した被堆積基板上の第1の領域に、Ir(DPM)3を原料に用いた化学気相成長法により、選択的にイリジウム膜又は酸化イリジウム膜を堆積する。

Claim (excerpt)：

Ir(DPM)3を原料に用いた化学気相成長法によりイリジウム膜又は酸化イリジウム膜を形成する薄膜形成方法であって、第1の領域に第1の物質が露出し、第2の領域に第2の物質が露出した被堆積基板上の前記第1の領域に、選択的にイリジウム膜又は酸化イリジウム膜を堆積することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (8)：

C23C 16/04 , C23C 16/18 , C23C 16/40 , H01L 21/285 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

C23C 16/04 , C23C 16/18 , C23C 16/40 , H01L 21/285 301 Z , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-263471 Applicant：日本電気株式会社

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