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J-GLOBAL ID：200903025402648790

減圧室の半導体基板加熱装置

Inventor： 安松 正博
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184553
Publication number (International publication number)：1995045523
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】スパッタ装置および減圧CVD装置等の減圧室におけるウェーハ加熱装置において、ウェーハ20の温度を多段階に温度設定できるとともに設定された温度に安定して維持することを図る。【構成】低温側から所望の設定温度に立ち上げる加熱ランプ7と、ブロック3を基板ホルダ1の裏面に接触させ高温側から前記設定温温度に下げる冷却機構と、前記設定温度に不活性ガスを調節する高温側と低温側の調温器16a,16bとを設け、ウェーハ20を略気密に載置する基板ホルダ1を加熱ランプ7の入切または冷却機構のブロック3の接触・離間により基板ホルダ1を加熱あるいは冷却し略前記設定温度にし、さらにウェーハ20と基板ホルダ1とで形成される閉鎖空間1bに温調器16a,16bで前記設定温度にされた不活性ガスを充たしウェーハを前記設定温度にする。

Claim (excerpt)：

減圧室内にあって半導体基板の周縁部を載置する平坦な載置面と該半導体基板の裏面とでなる閉鎖空間を有するとともにこの閉鎖空間に不活性ガスを供給する吹出し穴が形成される基板ホルダと、載置された前記半導体基板を押え該基板ホルダに固定する係止手段と、前記基板ホルダの裏面に対向し離間して配置され該基板ホルダを加熱する加熱手段と、該基板ホルダの裏面に冷却部材を接触したり離したりして該基板ホルダの熱を吸収する冷却機構と、不活性ガス源から供給される前記不活性ガスの温度が異なる少なくとも二つ温調器と、これら温調器のいずれかと前記吹出し穴を通じさせる切換え手段とを備えることを特徴とする減圧室の半導体基板加熱装置。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68