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J-GLOBAL ID：200903025412836950
光電子増倍管用ゲート回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992300135
Publication number (International publication number)：1994150877
Application date： Nov. 10, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電気的に絶縁しつつゲート信号に応じて光電子増倍管の出力信号の遮断の制御をする【構成】 本発明の光電子増倍管用ゲート回路は、光電子増倍管の電源電圧を光電子増倍管のダイノード各段へのバイアス電圧に分圧するブリーダ回路と、ダイノードのうち少なくとも一つとそのバイアス電圧よりも低い電位との間にドレイン及びソースが接続された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタをオンオフ制御するためのゲート信号を外部から入力し、電界効果トランジスタのゲートに与えるフォトカプラとを備える。
Claim (excerpt)：
光電子増倍管の電源電圧を前記光電子増倍管のダイノード各段へのバイアス電圧に分圧するブリーダ回路と、前記ダイノードのうち少なくとも一つとそのバイアス電圧よりも低い電位との間にドレイン及びソースが接続された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタをオンオフ制御するためのゲート信号を外部から入力し、前記電界効果トランジスタのゲートに与えるフォトカプラとを備えた光電子増倍管用ゲート回路。
IPC (3)：
H01J 43/30
, G01J 1/42
, G01T 1/208
