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J-GLOBAL ID：200903025413532416

導電性金属薄膜の形成方法およびその方法に使用する導電性金属超微粒子分散物

Inventor： アーリップ・クトゥルク ,  岩重 央 ,  小田 正明
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069129
Publication number (International publication number)：2001254185
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 アスペクト比の大きい細孔、細溝の凹部を有する基板に対しても、該凹部にボイドを生じることなく導電性金属を埋め込み、プロセステップ数を少なくして、低コストで導電性金属薄膜を形成する方法およびその方法に使用する金属超微粒子分散物を提供すること。【解決手段】 アスペクト比1以上の細孔、細溝を有する基板上に導電性金属超微粒子分散物を塗布した後、これを加熱して、該分散物中の揮発性物質を除去し、導電性金属を焼成する工程を行う雰囲気を、まず真空排気した雰囲気にした後に、0.1〜10気圧(ゲージ圧)の不活性ガス含有雰囲気にして、該工程を行う。該分散物はm5〜70重量%の金属超微粒子が、沸点150°C以上の有機液体を主成分とする分散媒中に分散してなる。

Claim (excerpt)：

アスペクト比1以上の細孔、細溝を有する基板上に導電性金属超微粒子分散物を塗布し、これを加熱して、該分散物中の揮発性物質を除去し、導電性金属を焼成して該細孔、細溝の凹部内に導電性金属薄膜を形成する方法において、該加熱による揮発性物質除去、導電性金属焼成の工程を行う雰囲気を、まず真空排気した雰囲気にした後に、0.1〜10気圧(ゲージ圧)の不活性ガス含有雰囲気にして、該工程を行うことを特徴とする導電性金属薄膜の形成方法。

IPC (6)：

C23C 24/08 ,  B05D 3/04 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/24 303 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205

FI (7)：

C23C 24/08 A ,  B05D 3/04 A ,  B05D 5/12 B ,  B05D 7/24 303 C ,  H01L 21/283 A ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 B

F-Term (45)：

4D075BB24Z ,  4D075BB28Z ,  4D075BB56Z ,  4D075BB93Z ,  4D075DA06 ,  4D075DA32 ,  4D075DC21 ,  4D075EC02 ,  4D075EC10 ,  4D075EC53 ,  4D075EC54 ,  4K044AA11 ,  4K044AB10 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA12 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA24 ,  4K044CA29 ,  4K044CA53 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB32 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX02