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J-GLOBAL ID：200903025421076969

ドライエッチング装置

Inventor： 秋元 健司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993085822
Publication number (International publication number)：1994342771
Application date： Apr. 13, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】より大きな面積をもつ半導体基板9でも面内を均一にエッチングできるように図る。【構成】マイクロ波を用いる平行平板型のドライエッチング装置であって、マイクロ波を導入し広いマイクロ波放出面をもつ誘電体線路部材であるテフロン板3を上部電極2の下側に取付け、マイクロ波をテフロン板3に伝播させ広い下側面よりマイクロ波をチャンバ1内に放射させ均一なプラズマを形成する。さらに、必要に応じてチャンバ1の外壁に等間隔に磁石11を配置し、半導体基板9の面上への磁界を小さし影響を抑えるとともにチャンバ空間部の磁界を一様に印加させプラズマ密度を増大させている。

Claim (excerpt)：

チャンバ内に設けられる第1の電極と、この第1の電極に対向して設けられ被エッチング部材の半導体基板を載置する第2の電極と、前記第1の電極に取付けられマイクロ波を導入する誘電体線路部材と、前記第2の電極に接続される高周波電源とを備えることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-002321
  
• 特開昭62-291032